等離子體輔助清洗技術是一種先進制造工業(yè)中的精密清洗技術，在許多工業(yè)領域都可以運用到這種清洗技術，下面為大家介紹一下，等離子清洗機清洗技術在半導體制造中的應用。
 

　　化學氣相沉積(CVD)和刻蝕被廣泛應用于半導體加工過程中，利用CVD可以沉積多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和金屬薄膜(如鎢)。此外，微三級管及電路中起連接作用的細導線也是在絕緣層上通過CVD工藝制成的。
 

　　在CVD過程中，部分殘留物會沉積到反應腔室內壁上。這里的風險是，這些殘留物會從內壁上脫離，對后續(xù)的循環(huán)過程造成污染。因此，在新的沉積過程開始之前需要對CVD腔室用清洗機清洗來維護產品的合格產出。傳統(tǒng)的清洗劑是PFCs和SF6這類含F的氣體，可以被當成等離子體發(fā)生氣體用于將CVD腔室內壁的Sio2或者Si3N4去除干凈。再循環(huán)過程中，FFC在等離子體作用下分解出來的F原子可以刻蝕掉殘留在電極、腔室內壁和腔內五金器件上的殘留物。
 

　　理解FFC需要很高的能量。因此，在等離子清洗機進行清洗的過程中腔室內相當一部分的FFC不會離解成活性F原子。這部分未反應的含F氣體除非使用減排技術，否則終還是會流入大氣中。這些氣體在大氣層中的壽命很長，會在很大程度上加劇全球變暖，其熱能比二氧化碳高出4個量級，因此國際環(huán)保組織從1994年開始發(fā)展減少這種氣體排放的技術。NF3對溫室效應的影響較小，可以替代上述的含F氣體。
 

　　另一個應用于半導體行業(yè)的制造步驟是利用等離子清洗機清洗去除硅膠片上元件表面的光敏有機材料制造的光刻膠。在沉積工藝開始前，需要將殘留的光刻膠去除干凈。傳統(tǒng)的去膠方法采熱的硫酸和過氧化氫溶液，或其他的有毒的有機溶劑。然而，使用清洗機清洗可以用三氧化硫等氣體去膠，這種方法減少了對化學溶劑和有機溶劑的依賴。對于一般的制造廠來說，采用等離子體清洗技術去膠可使化學溶液的使用量減少1000倍，不僅環(huán)保，還能為企業(yè)節(jié)約大量資金。